Memory Upgrade / Vaio RA304

[311192]

Hi All Again ( sorry for my poor English... ),

Hope that some Vaio's Professional users can help me. Well, after installing vista on my RA304, I've decided to add 2 x 512MB memory to upgrade my PC 2GB.

I got 2 Corsair PC3200 DDR memory chip to complete my 2 Samsung 512 MB originally installed on my computer. But since this addition, I get a random freeze of my computer ( both keyboard and screen ) and I have no choice to cut the power to restart my PC.

I asked the vaio hotline to try to help me on that specific topic and the answer was to remove my Corsair memory ( oops, what an answer !! ).

A friend of mine told me to run MEMTEST to check my Corsair memory but the test did not failed.

Could someone explain me whath can be the problem ?

Thank you

[kee-lo_]

If you download Everest Home Edition and check that the RAM is identical in spec to your Samsung modules.

http://www.majorgeeks.com/download4181.html

[311192]

Kee-Lo,
Thank you for your answer. I've launched Everest and hereafter, I've posted the results. Little bit lost to understand or find an issue reported ... Please help...

DIMM1: Samsung M3 68L6423FUN-CCC 512 Mo PC3200 DDR SDRAM (3.0-3-3-8 @ 200 MHz) (2.5-3-3-7 @ 166 MHz)
DIMM2: Corsair VS512MB400C3 512 Mo PC3200 DDR SDRAM (3.0-3-3-8 @ 200 MHz) (2.5-3-3-7 @ 166 MHz)
DIMM3: Samsung M3 68L6423FUN-CCC 512 Mo PC3200 DDR SDRAM (3.0-3-3-8 @ 200 MHz) (2.5-3-3-7 @ 166 MHz)
DIMM4: Corsair VS512MB400C3 512 Mo PC3200 DDR SDRAM (3.0-3-3-8 @ 200 MHz) (2.5-3-3-7 @ 166 MHz)


[ DIMM1: Samsung M3 68L6423FUN-CCC ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L6423FUN-CCC
Numéro de série 03061153h
Date de fabrication Semaine 6 / 2005
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM2: Corsair VS512MB400C3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400C3
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Corsair Memory, Inc.
Information sur le produit http://www.corsairmemory.com/corsair/products.html

[ DIMM3: Samsung M3 68L6423FUN-CCC ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L6423FUN-CCC
Numéro de série 030C1159h
Date de fabrication Semaine 6 / 2005
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM4: Corsair VS512MB400C3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400C3
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Corsair Memory, Inc.
Information sur le produit http://www.corsairmemory.com/corsair/products.html

[Blencogo]

I think most models in the RA-Series support dual-channel memory.

Have you tried using the Corsair in slots 1 & 2 and the Samsung in slots 3 & 4 rather than the 1 & 3 and 2 & 4 configuration you have at present?